MAINBOARD GIGABYTE B760 GAMING X DDR4
Khuyến mãi - ưu đãi
- Giảm giá 10% cho học sinh, sinh viên
Thông số kỹ thuật
Chipset | Intel B760 |
Socket | Intel LGA 1700 |
Kích thước | ATX |
Số khe RAM | 4 khe( Tối đa 128GB) |
Thông số kỹ thuật
Chipset | Intel B760 |
Socket | Intel LGA 1700 |
Kích thước | ATX |
Số khe RAM | 4 khe( Tối đa 128GB) |
- Mô tả sản phẩm
Mainboard GIGABYTE B760 GAMING X AX DDR4 sở hữu hệ thống MOSFET 8+1+1, 2 pha, 60 A DrMOS giải phóng và duy trì hiệu suất tối đa với thiết kế VRM tích cực được tích hợp với hệ thống nguồn CPU kỹ thuật số. Kết hợp các đầu nối nguồn 8 chân sẵn sàng cung cấp dòng điện dồi dào để điều khiển những bộ vi xử lý Intel thế hệ thứ 12 và 13 mới nhất.
Nâng tầm khả năng làm mát, gia tăng tính ổn định
- Tản nhiệt TMOS thứ thiệt: Thiết kế một mảnh của nó và lớn hơn bề mặt cải thiện đáng kể hiệu suất làm mát so với nhiều mảnh của đối thủ cạnh tranh thiết kế.
Tấm chắn nhiệt M.2: Lưu ý đến độ bền, GIGABYTE cung cấp giải pháp tản nhiệt cho các thiết bị SSD M.2. Bộ bảo vệ nhiệt M.2 ngăn hiện tượng tiết lưu và tắc nghẽn từ ổ SSD M.2 tốc độ cao vì nó giúp tản nhiệt trước khi nó trở thành vấn đề.
Thiết kế nhiều đường cắt: TMOS có một số kênh và đầu vào trên tản nhiệt. Thiết kế này cho phép luồng không khí đi qua dẫn đến cải thiện đáng kể hiệu suất truyền nhiệt.
RAM DDR4
Sử dụng bộ nhớ ram DDR4 cung cấp một nền tảng đã được thử nghiệm và chứng minh để đảm bảo phù hợp khả năng tương thích với các cấu hình bộ nhớ DDR4 lên đến 5333MHz và hơn thế nữa. Tất cả những gì người dùng cần làm để đạt được mức tăng hiệu suất này là đảm bảo rằng mô-đun bộ nhớ của họ là XMP có khả năng và rằng Chức năng XMP được kích hoạt và kích hoạt trên bo mạch chủ GIGABYTE khác của họ
Thế hệ Ram DDR4 có nhiều ưu điểm vượt trội hơn hẳn so với DDR3, nó hội tụ nhiều sự cải tiến như:
- Tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh hơn: Rút ngắn thời gian truyền tải giữa RAM, CPU và các thành phần khác, giúp thiết bị của bạn hoạt động nhanh nhạy hơn
Tiết kiệm năng lượng hơn, kéo dài tuổi thọ pin cho thiết bị của bạn: DDR4 được thiết kế với mức điện năng tiêu thụ thấp và chủ yếu được tích hợp trong các thiết bị có tính di động cao như smartphone, tablet,...
Dung lượng lớn hơn: Mỗi con chip nhớ trên loại RAM này có mật độ lớn, hỗ trợ dung lượng tối đa lên đến 512GB, thay vì ở mức chỉ 128GB trên DDR3.
Trong khi thế hệ tiền nhiệm DDR3 chỉ có các mức xung nhịp bus lần lượt là 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 (MHz) thì DDR4 có tới 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 3200 và thậm chí là 4266 (MHz) giúp tốc độ truyền dữ liệu được nhanh hơn hẳn.